大脑室旁核中的神经元可将压力转化为不良的睡眠和记忆。图片来源：Filmstax/Getty

科学家识别出一组大脑深处的神经元，可能解释了压力对睡眠和记忆产生影响背后的机制，为治疗与压力相关的睡眠障碍提供了新的靶点。相关论文近日发表于《神经科学杂志》。

此前研究表明，在下丘脑中，一个名为“室旁核”的结构中的神经元会与对睡眠和记忆很重要的其他脑区保持通信，并释放促肾上腺皮质激素，在调节压力方面发挥作用。然而，压力影响睡眠和记忆的神经机制一直未被揭示。

论文合著者、美国宾夕法尼亚大学的神经科学家钟辛佳（音）认为，这个问题对每个人都有影响。她表示：“我在压力大时经常出现严重的睡眠问题。例如，每次我考试前总是睡不好觉，而这真的会影响第二天的表现。”

为了研究室旁核中的神经元如何将压力转化为睡眠和记忆问题，科学家将实验小鼠限制在一根塑料管中，使其经历了一次具有压力感的体验。随后，研究人员测试了这些啮齿动物的空间记忆，并在其睡眠时监测了它们的大脑活动。

正如预期的那样，感受压力的小鼠在第二天表现出入睡困难，并在记忆测试中表现不佳。当激活室旁核的神经元时也会产生类似效果，而抑制这些神经元则使睡眠得到轻微改善，同时在记忆表现上也有显著提升。

研究人员表示，这可能意味着在压力状态下，室旁核的神经元通过不同的机制影响睡眠和记忆。美国密歇根大学的神经科学家Kamran Diba指出，这表明“睡眠紊乱和应激途径可能是截然不同的”。美国加州大学旧金山分校的行为科学家Mazen Kheirbek补充说，确定这一大脑回路是理解压力如何影响行为的“另一块砖”。

睡眠和记忆问题往往是许多精神疾病，例如创伤后应激障碍和重度抑郁症的早期症状，通常在确诊前就已出现。研究人员表示，针对室旁核神经元的治疗可能会减缓这些疾病的进展。（蒲雅杰）

相关论文信息：https://doi.org/10.1523/JNEUROSCI.2146-24.2025