作者:章晓中等 来源:《自然》 发布时间:2011-9-27 13:08:58
选择字号:
硅基磁电阻研究取得新进展
 
清华大学材料科学与工程系章晓中教授在2011年9月15日出版的《自然》(Nature)上发表了有关硅基磁电阻研究的论文《硅的低场磁电阻的几何增强》, 这也是中国首次以第一单位在Nature/Science杂志上刊登磁电阻领域的研究成果,是该领域中的一个重大突破。
 
章晓中研究组发现在掺杂浓度极低的硅中,可通过少数载流子注入的方式引入迁移率的空间非均匀性,从而增强IMR效应。经由少子注入,施加一定的电流,可以在硅中产生了一个少子区和多子区的边界(一个动态的p-n边界)。在这个边界附近,载流子迁移率的波动最大,因此磁电阻也得到了极大的增强。利用这一原理,章晓中教授研究组设计了一种硅基IMR的原型器件。通过调控器件的几何结构,这种器件的室温磁场灵敏度显著增强,在0.07特斯拉和0.2特斯拉下分别实现了10%和100%的磁电阻,接近了商用巨磁阻(GMR) 。
 
该研究工作得到了国家自然科学基金的持续资助。(来源:国家自然科学基金委员会)
 
更多阅读
 
 
 
 
 
特别声明:本文转载仅仅是出于传播信息的需要,并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性;如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用,须保留本网站注明的“来源”,并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜,请与我们接洽。
 
 
 打印  发E-mail给: 
    
 
以下评论只代表网友个人观点,不代表科学网观点。
SSI ļʱ
 
相关新闻 相关论文

图片新闻
黄龙世界生物圈保护区完成第二个十年评估 人类白细胞用分子“桨”游泳
数十亿年来,地球氧气在腐蚀月球吗 遥感地球脉动
>>更多
 
一周新闻排行 一周新闻评论排行
 
编辑部推荐博文
 
论坛推荐