作者:黄辛 来源:科学时报 发布时间:2010-3-19 9:29:34
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硅基光互连研究获突破
 
中国科学院上海微系统所SOI(绝缘硅)小组与上海宏力半导体制造有限公司研究人员密切合作,利用双方在SOI材料科学研究和集成电路制造方面的优势,在国内首次利用标准CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺平台开发出10Gbps速率的硅光调制器芯片,该芯片可以和电路集成在同一SOI硅片上,满足芯片内高清传输、互联网等光互连应用的速率要求,在新一代高性能计算机、光通信设施和消费类电子产品发展中有着广阔的应用和市场前景。这一突破表明,我国在硅基光互连领域具备了冲击国际先进水平的能力。
 
硅基光互连技术旨在采用CMOS技术生产开发硅光子器件,将硅基光子器件和电路集成在同一硅片上,“光子”是其中信号传输的主要载体,是发展大容量、高性能并行处理计算机系统和通信设备的必然途径。集成电路的工作速度正遵循“摩尔定律”不断提高,然而芯片内、芯片间以及计算机内部沿用金属导线作为连线的传统方式,已经成为约束计算机互连网络系统数据传输速率提升的瓶颈。解决这一矛盾的办法,是将微电子技术和光子技术结合起来,开发光电混合的集成电路。在集成电路内部和芯片间引入集成光路,既能发挥光互连速度快、无干扰、密度高、功耗低等优点,又能充分利用微电子工艺成熟、高密度集成、高成品率、成本低等特点。
 
《科学时报》 (2010-3-19 A1 要闻)
 
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