作者:王辉等 来源:《先进材料》 发布时间:2010-1-12 13:08:55
选择字号:
研究发现新的光致电阻效应
 
寻找新的电阻效应,实现大的电阻变化率一直是物理学和材料学领域的一个研究热点。最近一期的《先进材料》(Advanced Materials; DOI: 10.1002/adma.200903070)报道了上海交大物理系王辉副教授课题小组的最新研究成果:“基于金属-氧化物-半导体(MOS)结构的双极性电阻效应”。该小组经过几年的实验研究发现,通过操控激光,可以在某些金属-氧化物-半导体(MOS)结构中实现大的电阻变化率和空间分辨率,而且电阻变化呈现双极性的特点,这些特性对于研制新型光电器件,特别是研制新一代海量超高密度存储器具有很大的应用潜力。(来源:上海交通大学) 
 
 
 
 
特别声明:本文转载仅仅是出于传播信息的需要,并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性;如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用,须保留本网站注明的“来源”,并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜,请与我们接洽。
 
 打印  发E-mail给: 
    
 
以下评论只代表网友个人观点,不代表科学网观点。
SSI ļʱ
 
 
读后感言:

验证码:
相关新闻 相关论文

图片新闻
中国超重元素研究加速器装置刷新纪录 彩色油菜花又添7色!总花色达70种
考研复试,导师心仪这样的学生! 地球刚刚经历最热2月
>>更多
 
一周新闻排行 一周新闻评论排行
 
编辑部推荐博文
 
论坛推荐