作者:王辉等 来源:《先进材料》 发布时间:2010-1-12 13:08:55
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研究发现新的光致电阻效应
 
寻找新的电阻效应,实现大的电阻变化率一直是物理学和材料学领域的一个研究热点。最近一期的《先进材料》(Advanced Materials; DOI: 10.1002/adma.200903070)报道了上海交大物理系王辉副教授课题小组的最新研究成果:“基于金属-氧化物-半导体(MOS)结构的双极性电阻效应”。该小组经过几年的实验研究发现,通过操控激光,可以在某些金属-氧化物-半导体(MOS)结构中实现大的电阻变化率和空间分辨率,而且电阻变化呈现双极性的特点,这些特性对于研制新型光电器件,特别是研制新一代海量超高密度存储器具有很大的应用潜力。(来源:上海交通大学) 
 
 
 
 
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