作者:斯峒 来源:中国科学报 发布时间:2016/8/16 9:30:46
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中关村顺义园第三代半导体创新基地动工

 

本报讯 近日,第三代半导体材料及应用联合创新基地(以下简称创新基地)奠基仪式在中关村顺义园举行。科技部、北京市科委以及来自科研院所、企业、投资等领域的专家以及单位代表共100多人出席并见证了奠基仪式。

该基地的创建定位于第三代半导体材料及应用产业的全球创新策源地、人才集聚地、技术辐射地、创业成功地,是北京市政府、国家半导体照明工程研发及产业联盟在优势互补、资源共享的基础上,整合政府、行业、研究机构和社会资本等资源要素共同建设。

创新基地主要目的是通过会聚全球创新创业人才,以专业化、市场化、国际化的运营方式打造第三代半导体的开放式创业生态系统,实现第三代半导体关键技术重大突破,形成产业聚集,成为国内有影响的第三代半导体生产基地,抢占半导体产业制高点。这是落实北京市建设全国科技创新中心的战略定位的重大举措。

创新基地由北京国联万众半导体科技有限公司负责建设和运营。启动仪式上,北京国联万众半导体科技有限公司同启迪控股股份有限公司、美国Rayvio公司、荷兰代尔夫特理工大学分别签订了合作协议。

第三代半导体联合创新孵化中心与入驻孵化器企业代表举行签约仪式,基地一期目前已有拟入驻企业18家,其中北京瑞玉紫外科技有限公司、北京智慧光达通信科技有限公司、北京戴尔夫特电子科技有限公司、北京三个太阳电子科技有限公司、北京创变网络电子科技有限公司、北京智芯互联半导体有限公司、北京易麦特电子商务有限公司、北京佳美嘉业光电科技有限公司等8家企业签约,形成了引领和营造“大众创业、万众创新”的良好氛围,为顺义加快推进产业转型升级、实现创新驱动发展奠定了良好的基础。

目前开工的是该基地一期A,建筑面积30000多平方米,计划投资近9000万元,预计2017年底前即可竣工。(斯峒)

《中国科学报》 (2016-08-16 第8版 首都科技)
 
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