本报讯（记者黄辛）日前，中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室王浩敏团队首次通过模板法在六角氮化硼沟槽中实现石墨烯纳米带可控生长，成功打开石墨烯带隙，并在室温下验证了其优良的电学性能，为研发石墨烯数字电路提供了一种可能的技术路径。3月9日，相关研究发表于《自然—通讯》。据悉，该项研究提出的石墨烯纳米带制备方法已经获得中国和美国发明专利。
研究人员通过金属纳米颗粒刻蚀六角氮化硼单晶衬底，切割出单原子层厚度、边缘平直且沿锯齿型方向、宽度具有一定可控性的纳米沟槽，并通过化学气相沉积法在沟槽中制备出长度达到数微米且宽度小于10纳米的高质量石墨烯纳米带。实验结果表明，石墨烯在沟槽内通过台阶外延方式生长，与最顶层六角氮化硼形成晶格连续的面内异质结。
“这项研究在六角氮化硼单晶这一石墨烯理想衬底上验证了一种免转移，且宽度和边界可控的技术线路。”王浩敏表示，这为进一步探索与CMOS集成电路兼容的石墨烯逻辑电路提供了一个重要平台。
《中国科学报》 (2017-03-21 第4版 综合)
