东华大学机械工程学院研究员刘向军团队在基于忆阻器的类脑芯片研究方面取得新进展。相关研究成果近日发表于《应用物理快报》，并被期刊遴选为“精选论文”，且入选期刊封面文章。
面向人工智能对低功耗、高效率计算硬件的需求，类脑芯片成为突破传统冯·诺依曼架构瓶颈的重要方向。忆阻器是构建类脑芯片的核心器件，其性能取决于导电细丝的形成与调控机制。
研究团队系统揭示了二硫化钼（MoS2）中4|6晶界在驱动类脑芯片忆阻器内导电细丝形成中的关键作用，从原子尺度阐明了导电细丝的形成与迁移机制。研究结果为二维材料忆阻器和类脑芯片设计提供了重要理论支撑，对推动新型人工智能硬件的发展具有重要意义。
相关论文信息：https://doi.org/10.1063/5.0302223
版权声明：凡本网注明“来源：中国科学报、科学网、科学新闻杂志”的所有作品，网站转载，请在正文上方注明来源和作者，且不得对内容作实质性改动；微信公众号、头条号等新媒体平台，转载请联系授权。邮箱：shouquan@stimes.cn。
