作者:李秀玲等 来源:《纳米快报》 发布时间:2011-12-23 15:35:36
选择字号:
科学家发明半导体腐蚀新技术

 

美国伊利诺伊大学的研究人员发明了一种化学腐蚀新技术,可以在砷化镓(GaAs)中生成图形化阵列。该技术使高端光电装置的制备变得更容易。相关研究论文于11月3日在线发表在《纳米快报》(Nano Letters)上。
 
通常用两种方法来进行半导体腐蚀:湿法腐蚀和干法腐蚀。在光电应用方面,III-V族半导体GaAs是比硅性能更好的半导体材料。大的宽高比结构对高端光电装置应用至关重要,但是GaAs难以用传统干法腐蚀来得到大的宽高比结构。李秀玲(Xiuling Li)领导的小组优化了MacEtch方法(金属辅助化学腐蚀方法),同时为了在GaAs表面生长金属薄膜图案,李秀玲小组完善出一种软刻蚀技术。李秀玲说,结合软刻蚀技术和MacEtch方法可以以低成本的方式大面积生产高宽高比的III-V族纳米结构半导体。
 
李秀玲表示,只要找到合适的刻蚀条件,MacEtch方法就可以广泛应用。(来源:科学网 徐绍亮)
  
更多阅读
 
 
 
 
 
 
 打印  发E-mail给: 
    
 
以下评论只代表网友个人观点,不代表科学网观点。
SSI ļʱ
 
相关新闻 相关论文

图片新闻
子午工程二期标志性设备启动建设 NASA公布土星最大卫星泰坦地质图
窥探海洋微生物的世界 中山大学超构表面图像显示研究获重要进展
>>更多
 
一周新闻排行 一周新闻评论排行
 
编辑部推荐博文
 
论坛推荐