作者:曹俊诚等 来源:《半导体科学与技术》 发布时间:2011-9-2 13:17:33
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太赫兹量子级联激光器研究取得进展
 
近日,中科院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术院重点实验室在太赫兹(THz)量子级联激光器(QCL)研究方面取得进展。
 
THz QCL是太赫兹技术在通信和成像等应用方面的关键器件。自2002年世界上第一个THz QCL诞生以来,不管是在激射功率、频率,还是在工作温度等方面,THz QCL都取得了很大的进步。但是由于THz辐射对应的子带间能级差很小,而且自由载流子吸收损失在THz波段十分严重,所以要实现室温高功率的THz QCL器件是十分困难的。器件参数优化在提高THz QCL器件性能方面发挥着巨大的作用。
 
为此,上海微系统所曹俊诚课题组采用蒙特卡洛方法,研究了注入耦合强度对THz QCL器件性能的影响。结果发现,对于3.7-THz QCL来说,可以找到一个优化的注入耦合强度参数,即7.5 meV。在该优化参数条件下,模拟得到的动态激射范围以及峰值增益都取得了最大值。将该优化参数应用到有源区设计上将有望实现更高性能的THz QCL器件。
 
该研究结果作为亮点文章在《半导体科学与技术》(Semiconductor Science and Technology)上发表。(来源:中科院上海微系统与信息技术研究所)
 
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