作者:黄辛 朱泰来 来源:中国科学报 发布时间:2017/6/29 9:55:57
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院企合作突破相变存储器关键技术

 

本报上海6月28日讯(记者黄辛 见习记者朱泰来)今天,记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉,该所联合中芯国际集成电路制造(上海)有限公司开展的相变存储器(PCRAM)研究,在130纳米技术节点相变存储器技术方面取得重大突破。近四年来,合作双方与珠海艾派克微电子有限公司合作开发的打印机用PCRAM芯片取得工程应用突破,实现了产业化销售。

我国作为消费性电子产品最大产销国,仅2016年度,存储器芯片进口近4700亿元,国产芯片的自给率不足10%,发展自主新型半导体存储器的需求迫在眉睫。PCRAM具有非挥发性、循环寿命长、写入速度快、稳定性好、功耗低和可嵌入功能强等优点,被业界认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。

2003年起,微系统所研究员宋志棠在国内率先开展PCRAM研发。该所通过与中芯国际共建联合实验室,重点围绕PCRAM的核心单项工艺开发以及涉及的基础科学问题、集成工艺难题、产品性能测试和良率提升等技术瓶颈展开深入研究,成功研制了我国第一款拥有自主知识产权的PCRAM芯片。8Mb芯片实现全部存储功能,获得国内外同行的广泛关注,为我国在国际新一代半导体存储领域占有一席之地奠定了基础。

艾派克微电子有限公司的加入,使PCRAM技术真正走向市场。经过微系统所、中芯国际和艾派克联合攻关,突破了PCRAM芯片工程化应用的巨大瓶颈,三方联合设计的Kb级打印机用PCRAM芯片于2016年实现产业化。截至今年6月,相关PCRAM打印机芯片已完成销售1600万颗,客户试用进展顺利。

据悉,三方将继续加强原始创新与产业化密切配合的合作,进一步开发110-40纳米技术节点打印机和物联网等领域PCRAM芯片,力争为我国半导体行业迎来“弯道超车”。

《中国科学报》 (2017-06-29 第1版 要闻)
 
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