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本报讯 (记者 江世亮)记者从中科院半导体研究所、中科院微电子研究所获悉,我国著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一、中科院院士王守武先生因病医治无效,7月30日在美国逝世,享年95岁。
王守武先生组织领导并亲自参加了我国第一台单晶炉的设计、第一根锗单晶的拉制、第一只锗晶体管的研制和第一根硅单晶的拉制。1980年当选为中科院院士。(原文标题:我国半导体科学奠基人之一 中科院院士王守武在美去世)
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