本报讯（记者王昊昊）近日，国家第三代半导体技术创新中心（以下简称国创中心）在京召开第一届理事会第一次会议，标志着国创中心正式迈入实际运行阶段。
会议审议了国创中心《理事会章程》《建设运行方案》《2022年工作重点及目标》《第三代半导体跃升工程行动计划（建议稿）》，审议通过了第一届理事长、副理事长、理事，专家委员会主任、成员，国创中心主任人选。
国创中心由科技部批复同意建设，旨在瞄准国家战略需求，统筹全国优势力量，聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，推进各类相关创新主体和创新要素有效协同，输出高质量科技创新成果，培育发展新动能，推动我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。
国创中心已布局深圳、南京、苏州、湖南、山西、北京等6个区域中心，有效衔接政府支持和企业需求，联合行业龙头企业，协同全国50余家科研机构，初步形成了“核心+基地+网络”的创新格局。目前，国创中心已聚集第三代半导体领域多个院士团队、50余名行业领军人才，形成500多人规模的专职团队。
《中国科学报》 (2022-09-29 第3版 综合)
