9月23日,国家第三代半导体技术创新中心(以下简称国创中心)在京召开第一届理事会第一次会议,标志着国创中心正式迈入实际运行阶段。科技部有关领导,北京、山西、湖南、江苏、深圳等地方政府负责同志,中国电子科技集团有限公司(以下简称中国电科)主要负责同志出席会议。
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会议现场。中国电科 供图
会议审议了国创中心《理事会章程》《建设运行方案》《2022年工作重点及目标》《第三代半导体跃升工程行动计划(建议稿)》,审议通过了第一届理事长、副理事长、理事,专家委员会主任、成员,国创中心主任人选,并听取了国创中心前期工作汇报。
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与会者合影。中国电科 供图
国创中心由科技部批复同意建设,旨在瞄准国家战略需求,统筹全国优势力量,聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向,推进各类相关创新主体和创新要素有效协同,输出高质量科技创新成果,培育发展新动能,推动我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。
国创中心按照“一体统筹规划、多地分布布局、协同联动创新”和“存量带动增量”的建设思路,在科技部的统一指导下,由中国电科与相关省市协商设立,布局深圳、南京、苏州、湖南、山西、北京等六个区域中心,有效衔接政府支持和企业需求,联合行业龙头企业,协同全国50余家科研机构,初步形成了“核心+基地+网络”的创新格局。目前,已聚集第三代半导体领域多个院士团队,行业领军人才50余名,形成500多人规模的专职团队,聚焦产业链薄弱环节重点发力,取得了阶段性进展和成效。
会议以“现场+视频”形式举行。北京、山西、江苏、湖南、深圳、南京、苏州等地有关部门负责人,国创中心相关建设单位负责人参加会议。
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