作者:张行勇 赵秉正 来源: 中国科学报 发布时间:2019-4-15
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西安电子科大
成功设计出溶于水的神经形态忆阻器

 

本报讯(记者张行勇 通讯员赵秉正)模仿人脑神经网络的类脑神经形态器件可构建高智能、低功耗类脑芯片。有记忆功能的非线性电阻——忆阻器,能够用来模拟生物突触和神经元的信息处理功能,是实现人工神经网络的理想选择。另一方面,物理瞬态电子是指电子器件或者系统在完成它的使命后可物理消失,将可随需消失的瞬态材料与忆阻器件结合起来,可实现神经网络的安全应用。

近日,中科院院士郝跃团队成员、西安电子科技大学材料学院副教授王宏和微电子学院教授马晓华等成功设计研发了一种可溶于水的神经形态忆阻器件。相关成果发表于国际电气与电子工程师协会(IEEE)《电子器件快报》,并被IEEE旗舰出版物《频谱》特别报道。

据介绍,该课题组提出了一种水辅助转印方法,将采用传统微纳加工技术制备的器件阵列转移到瞬态基底上,得到了一种可物理消失的模拟神经元间信号传导的忆阻器(30分钟内可在水中完全溶解),可以很好地实现神经突触的短期可塑性,这一研究成果为实现安全的神经形态计算应用打下了基础。相关论文信息:DOI:10.1109/LED.2019.2904752

《中国科学报》 (2019-04-15 第4版 综合)
 
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