作者:黄辉 来源:《纳米通讯》 发布时间:2019/5/10 11:02:20
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研发出低功耗高灵敏度集成传感器

 

大连理工大学教授黄辉团队研发出无漏电流纳米线桥接生长技术,制备出高可靠性(8个月电阻变化率<0.8%)、低功耗(可室温工作)及高灵敏度(NO2检测限0.5ppb)的GaN纳米线气体传感器,实验结果近日发表在《纳米通讯》上。

目前,半导体集成电路芯片(IC)发展迅猛,如果把IC比作人的大脑,传感器则相当于的人的感知器官,二者相互依存。但是目前传感器特别是可集成微纳传感器的发展程度,远远滞后于IC的发展水平。

研究人员首次研究了纳米线桥接生长中的寄生沉积效应,发明了一种结合气流遮挡效应与表面钝化效应的桥接生长方法,解决了寄生沉积问题;首次实现了无漏电流的GaN桥接纳米线,在此基础上研制出高稳定性、低功耗、高灵敏度的集成纳米线气体传感器,解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题。GaN材料是第三代半导体,具有耐高温、抗氧化、耐酸碱腐蚀的稳定性和生物兼容性,适用于严酷环境下的应力应变以及液体和气体样品的检测(实验证明氢氟酸腐蚀48小时未对GaN纳米线产生影响),应用领域广泛。(来源:中国科学报 刘万生 姚璐)

相关论文信息:DOI:10.1021/acs.nanolett.8b04846

 
 
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