作者:方哲宇等 来源:《先进材料》 发布时间:2015/9/8 14:07:43
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利用石墨烯量子点实现光控界面掺杂

 

低维纳米材料由于在发光和电子输运等方面有着丰富的物理特性,得到了广泛关注。日前,北京大学方哲宇、朱星课题组利用石墨烯量子点(GQDs)等离激元实现了对单层MoS2的高效电荷掺杂以及发光光谱的动态调控,相关成果近期发表于《先进材料》

单层danS2是一种直接带隙半导体材料,具有较高的光致荧光发光效率。GQD等离激元的电掺杂效应可以调控单层MoS2中的激子和三激子复合发光。近期已有利用电致掺杂、化学分子掺杂MoS2单层的报道,但仍存在掺杂不易调控、掺杂效率不高等问题,方哲宇等人创新性地制备了GQD/MoS2异质结结构,利用石墨烯量子点的等离激元隧穿效应,实现了一种新的高效光控界面掺杂,并通过拉曼光谱和荧光光谱对其进行了表征和分析,发现掺杂可以对MoS2单层的谷偏振度进行有效调控。

这项研究解释了碳基量子点材料和二维材料界面电荷转移过程,为新型低维异质结材料在生物医学传感、微纳电子器件等领域的应用提供了新思路。(来源:中国科学报 彭科峰)

 
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