华东理工大学教授杨双、杨化桂、侯宇团队通过异价掺杂方法，成功制备出具有高的相稳定性、强电荷收集能力和器件可拓展性的非晶硫化锑（Sb2S3）材料。相关研究近日发表于《纳米快报》。
非晶半导体材料具有低成本、高均匀性以及衬底兼容性等优势，在光伏器件、平板显示、存储器和传感器等领域展现出重要应用价值。然而，目前具有优异光电性能的非晶半导体材料种类仍十分有限。近年来，新兴光电材料Sb2S3表现出一定的应用潜力，但如何制备非晶态Sb2S3半导体薄膜材料仍是一个亟待解决的难题。
研究团队针对性地开发了非晶Sb2S3材料。理论和实验研究结果表明，异价金属卤化物的加入可改善Sb2S3链状结构并降低体系自由能，进而增强了其玻璃化能力。此外，非晶Sb2S3具有窄带隙和高载流子寿命乘积的优势，由其组装的X射线探测器在探测灵敏度和最低检测限方面表现优异。基于非晶Sb2S3薄膜的面积均匀性和高灵敏度特性，研究团队成功实现了在低剂量率下实时高分辨的X射线成像。
非晶Sb
2S
3制备方法及其X射线成像装置。图片由研究团队提供
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相关论文信息：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c01304
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