来源:中国科学院半导体研究所 发布时间:2014-1-7 21:16:55
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研究人员制备成功RF MEMS振荡器



 
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,在自然科学基金、中科院项目的支持下,经过努力探索,制备成功RF MEMS振荡器。
 
基于微纳谐振器的MEMS振荡器,具有高频、高品质因子(>103),可与IC电路在同一芯片集成,实现系统小型化,在军民两用高技术领域具有非常广泛的应用。
 
中国科学院半导体研究所成功制作了高性能全硅MEMS振荡器,基频达149MHz,高阶频率达868MHz,大气中品质因子>8000,相位噪声在1kHz达到-68dBc/Hz,10kHz达到-95 dBc/Hz,短期频率稳定度小于±1 ppm,中期频率稳定度-5 ppm --2 ppm。全硅MEMS振荡器比石英晶振在性能、体积和生产成本方面明显占优,更符合现代电子产品的标准。全球时脉市场规模达50亿美元,目前MEMS振荡器市场占有率在4%以下,但预估2013~2015年,将有高达100%的年增长率。
 
 
 
 
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