来源:科学网 www.sciencenet.cn 发布时间:2013-1-5 14:26:32
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Organic Complementary Circui

Remarkable Enhancement of Hole Transport in Top-Gated N-Type Polymer Field-Effect Transistors by a High-k Dielectric for Ambipolar Electronic Circuits (Adv. Mater. 40/2012)

 
图评:标准的学术风格设计,没有比喻,没有拟人,没有玩笑,很工整的画面,很整齐的排布。连续图案是美学的常用手段,薄膜上的连续结构本身就构成了队列的美感,薄膜材质柔软和透亮,放大的原件结构也画的很干净整齐。对于没有经过多年美术训练的创作者来说,这种风格是很好的一个方向。
  
On page 5433, Yong-Young Noh, Antonio Facchetti, Kang-Jun Baeg, and co-workers report that high performance ambipolar complementary inverters and ring oscillators are provided by a remarkable enhancement of both holeinjection and transport for n-channel dominant N2200 OFETs. The significant enhancement of hole mobility in N2200 OTFTs is attributed to the strong dipoles in fluorinated high-k gate dielectric blend of P(VDF-TrFE):PMMA.
 
 
 
 
 
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