随着纳米技术的进一步发展，人们期待纳米线能够被组装成为各种器件。一种被普遍采用的方法是在生长阶段获得有序的纳米线，即在特定衬底上生长纳米线阵列。这种方法的优点是减少甚至消除随后器件制作过程中的所必需的纳米线排列过程。同时，纳米线的密度对于纳米器件的功能也有重要影响。

 

基于上述考虑，中国科学院固体物理研究所王敏、费广涛等以ZnS纳米线为例，探索出了一种简单普适的外延生长密度可控的纳米线阵列的方法。首先在ZnS圆片上制备出了单晶ZnS柱子阵列，然后将其作为过度层实现大面积ZnS纳米线阵列的外延生长。通过对溅射有Au膜的ZnS柱子阵列在不同温度下退火，以实现对Au颗粒密度的调控，进而实现了对ZnS纳米线阵列的密度控制。所得到的ZnS纳米线阵列的密度能够在0.33 wires/mm2至3.04 wires/mm2之间调控。相关结果发表在《物理化学杂志C》（Journal of Physical Chemistry C）。（来源：中国科学院固体物理研究所） 《物理化学杂志C》发表论文摘要