作者:彭丽 来源:科学时报 发布时间:2011-5-17 9:02:23
选择字号:
【科学时报】我国纳米光刻技术研究取得突破
 
日前,中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形,对表面等离子体进行有效激发,其采用普通I-line、G-line光源获得了特征尺寸小于30纳米的超分辨光刻图形。
 
据相关负责人介绍,传统的微光刻工艺采用尽可能短的曝光波长,期望获得百纳米甚至几十纳米级别的光刻分辨率。然而,随着曝光波长的缩短,整个光刻装备的成本也急剧上升。以目前主流的193光刻机为例,其售价为几千万美元。如此高昂的成本严重限制了短波长光源光刻技术的应用。
 
近年来,表面等离子体光学的提出为微光刻技术的发展提供了新的选择。利用表面等离子体波的短波长,通过合理的设计掩模图形和工艺参数,超分辨的纳米光刻技术有望形成。
 
在此背景下,该所研究员提出了基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。理论研究表明,该技术可获得特征尺寸小于1/10曝光波长的纳米结构,并利用365纳米光源从实验上获得了超越衍射极限的光刻分辨率。这将为我国正在迅猛发展的信息产业技术及纳米科技提供坚实的加工制备基础。
 
(彭丽)
 
《科学时报》 (2011-05-17 A1 要闻)
 
 打印  发E-mail给: 
    
 
以下评论只代表网友个人观点,不代表科学网观点。 
SSI ļʱ
 
读后感言:

验证码:
相关新闻 相关论文

图片新闻
中国超重元素研究加速器装置刷新纪录 彩色油菜花又添7色!总花色达70种
考研复试,导师心仪这样的学生! 地球刚刚经历最热2月
>>更多
 
一周新闻排行 一周新闻评论排行
 
编辑部推荐博文
 
论坛推荐