超薄石墨片是真正的二维输运系统，具有优越的载流子迁移率，因此在科技上引起了人们的强烈兴趣。实验和理论的研究显示，石墨片系统的输运性质对外界扰动高度敏感，比如表面上的分子吸附或者邻近杂质电荷，这意味着任何自由和随机的环境扰动都可能导致显著的器件电流起伏和低频1/f噪声。1/f噪声在固态电子器件中普遍存在，因为它的幅度随着器件尺寸的减小而增加，所以在决定与限制纳米器件的性能上特别重要。尽管在石墨片上已进行了大量的实验研究，但石墨片器件的噪声特性的全面研究仍然非常缺乏。

 

现在美国纽约IBM华生研究中心的科学家报道了对单层和双层石墨片纳米器件电噪声特性的研究。他们发现1/f噪声在双层石墨片器件中被强烈抑制，它与载流子密度的依存关系与大部分其他材料都不相同。双层石墨片的1/f噪声行为与其独特的能带结构有关，它的能带结构随着两层间的电荷分布而变化，导致对外界杂质电荷引起的电势波动的有效筛选。该研究结果不但对双层石墨片在低噪声领域的应用提供了很好的机会，而且为纳米器件的噪声消减提供了颇具价值的前景。

 

原文链接：http://pubs.acs.org/cgi-bin/abstract.cgi/nalefd/2008/8/i08/abs/nl080241l.html（陈鲁倬/编译）

 

《科学新闻》 (2008年 9月 第2期 封面集锦)