溶液法制备的场效应晶体管由于其在降低制作阵列和电路成本方面的潜在应用而引起了学者们的研究兴趣。但是，单纯的有机场效应晶体管由于存在迁移率低、电流密度低、性能依赖于制备手段等缺点而极大地限制了其应用。然而，无机半导体却在这些方面有着巨大的优势。但无机半导体在p沟道晶体管方面存在着迁移率低的劣势。

 

最近，美国约翰·霍普金斯大学的科学家成功合成了氧化锌/并五苯的有机无机相结合的双层晶体管器件。结果表明，通过控制两层之间的比例，这种器件既可以作为n沟道晶体管，又可作为p沟道晶体管器件。他们首先合成了氧化锌膜的无机半导体晶体管，研究发现不同的膜厚度会显著影响电子传输速率。而后，他们在氧化锌/并五苯的双层器件中通过调节氧化锌层的厚度使氧化锌失去n沟道特性，这时表现出来的就是并五苯（p沟道）的特性。两种状态下都得到了较高的电子与空穴的迁移速率。在过渡状态下还可以得到双极性的器件。

 

无机半导体与有机层结合的双层晶体管为场效应晶体管的制备提供了新的思路，因此有望解决单纯有机场效应晶体管在使用方面的不足。

 

原文链接：http://www3.interscience.wiley.com/journal/119818260/abstract

 

（张乐生/编译）

 

《科学新闻》 (2008年 8月 第1期 封面集锦)