碳纳米管阵列由于其优异的电学以及力学性质，在场发射、能源储备、传感器领域有着巨大的潜在用途。但是，一般碳纳米管阵列都是生长在不导电的基底上，这极大地限制了其应用范围。近来，有报道将碳纳米管阵列生长在镍或铁的薄片上，但是这些基底的耐酸性都很差。

 

最近，北京大学的科学家通过两步法，成功地将碳纳米管阵列合成在具有耐酸碱性能的导电基底玻碳和钽薄片上。首先，他们将涂有三氧化二铝层的玻碳或钽薄片放入高温炉中并通还原气加热，然后将酞氰铁放入其中并通碳源合成碳纳米管阵列。结果显示，阵列由多壁碳纳米管组成，而且没有无定型碳。阵列厚度分别为25微米和35微米。电化学测试表明，碳纳米管阵列具有较大的电容和较快的电子传输速率，而且比容量可以与毫米级的碳纳米管阵列相比。

 

将阵列合成于玻碳和钽薄片上解决了基底耐酸碱性的问题，从而有望促进其在电化学领域中的应用。

 

原文链接：http://www.sciencedirect.com/science/journal/00086223（张乐生/编译）