通常认为，现有的场效应管（FET）最终将受限于在开关过程中无法消除的热量的产生，这就使得探寻减小功率耗散的方法显得十分重要。显然如果FET工作在低电压下，功率耗散就会显著降低。限制工作电压的一个关键因素是亚阈值斜率S，标准的FET分析显示S的理论值不会低于60mV/decade。

 

然而，目前美国普度大学的研究人员提出一种新方法将很有可能使S的值减小低于理论限制。他们把FET中的标准绝缘层替换为铁电绝缘层，铁电材料提供的负电容能够形成增压变压器，从而减小亚阈值斜率低于60mV/decade的理论限制，使得FET的低电压/低功率运作可行。负电容是铁电材料中电偶极子正反馈的结果。与其他减小S值的建议不同，这种方法不需要FET基础物理方面的任何改变，因此不影响它的电流驱动，也不会引入其他限制。

 

原文链接：http://pubs.acs.org/cgi-bin/abstract.cgi/nalefd/2008/8/i02/abs/nl071804g.html（陈鲁倬/编译）