场发射显示器是一种非常有潜力的平面显示器，其阴极电子发射材料通常是长径比高、力学性能好的半导体或导体，产业化要求其成本低廉并易于加工。尽管传统的Mo锥尖型场发射阴极材料已经得以产业化，但人们仍致力于寻找合适的替代品。

 

最近，武汉理工大学的科研人员以聚碳酸酯多孔薄膜为模板，利用负压、库伦力、毛细管力的综合作用得到了直径约200nm长度大于5μm的V₂O₅纳米棒阵列结构，并研究了其场发射性质。测试结果显示，此纳米棒阵列的场发射开启电压较低，在热处理前后分别为6.37 V/μm和7.31V/μm，最大电流密度分别为2.31 mA/cm²和1.90mA/cm²，高于三星公司VGAFED（视频图像阵列电场显示器）的标准化电流密度（1mA/cm²）；其Fowler-Nordheim曲线也呈现出较好的线性关系，显示了优异的场发射性质。深入研究发现，此阵列的纳米结构和结晶状态是影响其场发射性质的主要原因。

 

原文链接: http://pubs.acs.org/cgi-bin/abstract.cgi/jpccck/2008/112/i07/abs/jp0766151.html（毛立娟/编译）