| 《物理评论聚焦》2008年21卷2月13日 |
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| 暗物理突破芯片制造的光学极限 |
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在光学平版印刷中，光刻胶的曝光区域能够被化学腐蚀形成集成电路图案。根据经典物理，这些曝光区域不能小于激光的半波长，因而现有的基于激光的计算机芯片制造技术不能制作小于光波长的器件。
为了从根本上突破这个极限，理论学家提出一种新的思路：光刻胶分子不是被一个光子激发，而是被两个或更多的光子激发。与同一个光子相比较，增加激发能量降低了有效的波长。但多光子吸收需要所有光子同一时间出现在同一地点，这样的高激光强度有可能损坏材料或者仪器。
现在研究人员提出了一种不采用高强度激光来降低衍射极限的新方法。光刻胶的分子被激发到无吸收的相干叠加状态，即“暗态”。这样的“相干布局陷阱法”不需要多光子的吸收，因而能工作在相对低的光强下。根据计算，这样的方法能够制造相当于光的半波长甚至四分之一波长尺寸大小的芯片。
原文链接：http://focus.aps.org/story/v21/st6（陈鲁倬/编译）