| 《应用物理快报》2008年92卷3期 |
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| 带有垂直耦合电荷探测器的垂直量子点 |
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先进的纳米组装技术被应用于各式各样量子点(QDs)的制作,而且其输运性质的测量阐明了零维电子体系的许多独一无二的特征。垂直的QDs联合了二维谐波电压限制,而且易于控制从N=0起的点内电子数N。
最近,利用量子点接触和单电子晶体管的电荷探测技术被用于研究QDs中的电荷态,这个应用打开了许多新的参量的测量,例如电子电荷和自旋、电荷驰豫和自旋、穿越QDs的隧道动力学。日本东京大学的Zaitsu研究小组制作了装备有电荷探测器的垂直量子点,点电流在量子点的上端和底部之间垂直流动,电荷探测器被安装于QDs底部接触层面上一个狭小的电流区域。由于静电耦合作用,当有额外电子被加于QDs上,则会引起隧道电流的减小。垂直的QDs中开始于零电子的电荷态被成功探测,而且电荷探测的灵敏度可以比得上先前报道的有近邻量子点接触的侧面点的电荷探测灵敏度。
Zaitsu等人开发的电荷量子探测技术可以被用于垂直的双重QDs装置,而且经过进一步的发展提高,它可以应用于量子信息处理技术的垂直QDs装置,以及电荷和自旋的读出和驰豫测量。
原文连接:http://link.aip.org/link/?APPLAB/92/033101/1(张建/编译)