由中科院上海微系统与信息技术研究所和信息功能材料国家重点实验室主办的第十届中红外光电子学材料与器件国际会议，不久前在上海举行。来自16个国家和地区的专家学者参会。会议围绕中红外光电子学领域材料与器件及其应用的热点问题进行深入研讨与交流。

 

“我们把从事快速发展的2～25微米中红外光电材料、器件、应用领域的科学家和最终用户聚集在一起，提供一个研讨该领域半导体光源、探测器及其在气候变化、环境污染监控、医学诊断和国土安全、大气通信、红外制导等应用的论坛。”大会主席、美国国家科学院外籍院士、中科院上海微系统所研究员李爱珍介绍说。

 

中红外量子级联激光器发明人之一、瑞士苏黎世大学教授Faist在大会特邀主题报告中指出，自1962年发明基于带间跃迁的近红外半导体激光二极管以来，工作于0.8～1.5微米的近红外光电子材料和器件引领了光通信高新技术走上产业化，成为信息产业的重要支柱。之后，科学家继续努力，开拓波长位于2微米至25微米波段的中红外半导体激光器。

 

基于超晶格、量子阱概念和分子束外延技术的发明与发展，美国贝尔实验室于1994年发明了基于带内子带跃迁的4.3微米中红外单极型半导体激光器，结束了30年缺乏理想中红外半导体光源的停滞不前徘徊局面，这在许多科学家看来，是“半导体激光器发展的第二个革命里程碑”，引起美、欧半导体科学家、政府、学术社团的高度重视，预见由中红外量子级联激光器、结合上世纪80年代以来发展起来的新一代量子阱中红外探测器、量子阱激光器构架的中红外光电子学领域，将以其科学与技术的原始创新挑战性和现实应用的战略地位展示在全世界面前，并将开拓窄禁带中远红外半导体光电子量子物理、材料、器件前沿交叉学科、前沿原创技术和光电子学的崭新应用领域并形成新产业。

 

“这是具有战略性、前瞻性、可持续性的前沿高新科学技术。正因为在国土安全和人类安全上的重要战略意义，它备受欧美重视，发展十分迅速。”Faist的观点得到了与会者的共鸣。

 

鉴于中红外光电领域的重要性，由欧洲科学家发起，自1996年在英国兰卡斯特大学召开第一届中红外光电子材料与器件国际会议以来，已发展成为重要的系列国际会议，轮流在欧洲和美国召开。2007年在奥地利召开的第八届会议上，经科学委员会讨论表决通过，确定2010年9月在中国上海召开第十届中红外光电子材料与器件国际会议，由李爱珍担任大会主席，这是该会议首次从欧洲和美国移师到亚洲召开。

 

中国科学院在中红外激光器材料和器件领域在国内处于领先地位，探测器材料和器件领域在国内处于领先行列，推动了我国半导体光电领域研究和产业的发展。

 

《科学时报》 (2010-9-27 A2 要闻)