作者:B.S. Li等 来源:《物理研究中的核工具与方法B》 发布时间:2011-4-25 15:10:32
选择字号:
离子联合注入单晶硅制备SOI材料研究获进展

 
中科院近代物理研究所科研人员将320kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅,研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理,获得进展。
 
实验中,科研人员首先向单晶硅中注入30keV、3×1016/cm2的氦离子,然后将样品切成两块:一块做退火处理,退火温度为1073K,退火时间为30分钟;另外一块不做退火处理。实验清楚地表明:退火前样品内部存在高密度的氦泡。
 
科研人员将注氦后的样品再注入100keV的氧离子,剂量为3×1016/cm2。再选择一块单晶硅,注入同样条件的氧离子。氧离子注入完成后,经高温退火处理(1423K,3h和1473K,2h),退火气氛为Ar/O2(100/10)。利用截面透射电镜研究了样品内部的微结构氧原子分布,发现氦、氧离子联合注入能够提高样品内部氧的含量,降低样品内部缺陷的密度。
 
这些研究表明:氦离子注入所导致的纳米气泡能够有效地捕获氧原子和硅间隙子,这为今后研究如何制备低缺陷密度的超薄silicon-on-insulator(SOI)材料提供了重要参考数据。
 
研究结果发表在《物理研究中的核工具与方法B》(Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B)(269 (2011) 739-744)。(来源:中科院近代物理研究所)
 
 
 
 
 
特别声明:本文转载仅仅是出于传播信息的需要,并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性;如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用,须保留本网站注明的“来源”,并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜,请与我们接洽。
 
 
 打印  发E-mail给: 
    
 
以下评论只代表网友个人观点,不代表科学网观点。
SSI ļʱ
 
 
读后感言:

验证码:
相关新闻 相关论文

图片新闻
三体是灾难?快来了解宇宙中的“两体” 我们的太阳系未来会怎样
气候变化下的植树造林方案 中科院电工所研制世界最高磁场超导磁体
>>更多
 
一周新闻排行 一周新闻评论排行
 
编辑部推荐博文
 
论坛推荐