生命科学 医药健康 基础科学 工程技术 信息科学 资源环境 前沿交叉 政策管理
 
论文作者:Yunqi Liu 期刊:《先进材料》 发布时间:2009-5-27 18:22:29
有机场效应晶体管稳定性研究进展

以苝酰亚胺为半导体材料、硫修饰的金为电极制备的n-型高性能有机场效应晶体管
 
在国家自然科学基金委、科技部和中科院的大力支持下,中科院化学所有机固体院重点实验室的研究人员在提高n-型有机场效应晶体管稳定性的研究方面取得新进展,有关研究成果发表在近期的《先进材料》(Adv. Mater. (2009, 21, 1631-1635))上。
 
近年来,有机场效应晶体管由于在大面积、柔性化和低成本有源矩阵显示、射频标签等方面的潜在应用前景而备受学术界和工业界的关注,并取得了长足的发展。相比单极性有机电路,由p-型 和n-型 有机场效应晶体管组成的双极性互补电路优势更明显,但目前n-型有机场效应晶体管由于较低的器件性能和很差的稳定性,使其发展明显滞后于p-型有机场效应晶体管。因此,如何提高n-型有机场效应晶体管的器件性能和环境稳定性,从而更好的与高性能稳定的p-型有机场效应晶体管相匹配,已成为当前的研究热点。
 
本研究通过硫的上电极修饰,显著地提高了苝酰亚胺n-型器件的性能,此方法具有受空气氧化影响小,修饰效应非暂时,原料便宜且修饰方法简单等特点。另外器件的稳定性也与制备工艺直接相关,研究人员通过改进蒸镀条件,使无强吸电子基团的苝酰亚胺类器件的稳定性得到提高,从而使得此类n-型器件可以长期在空气中工作,并为其它苝酰亚胺类器件的稳定性的提高提供了一种方法。(来源:中科院化学所)
 
发E-mail给: 
    
| 打印 | 评论 | 论坛 | 博客 |
相关论文 一周论文排行

小字号

中字号

大字号